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副教授
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張文號
發布時間:2016-09-02


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個人信息

姓    名: 張文號

職    稱: 副教授

電子郵箱: wenhaozhang@hust.edu.cn

辦公地址: 科技樓南412B


個人簡歷

2004-2008年  華中科技大學物理系,學士學位;

2008-2014年  清華大學物理系,博士學位;

2014-2016年  復旦大學物理學系,博士后研究;

2016年-至今  華中科技大學物理學院,副教授。


主要研究領域及成果


  1. 利用分子束外延技術,在SrTiO3襯底上成功生長出了FeSe薄膜,并在單層FeSe薄膜中發現高達20 meV的超導能隙,表明有可能存在接近液氮溫度(77 K)的超導轉變跡象。(Chin. Phys. Lett. 29, 037402 (2012))


  2. 結合掃描隧道顯微鏡,電學輸運,互感線圈,掃描透射電鏡,脈沖強磁場等強大有效地工具,系統深入的研究了FeSe/SrTiO3界面超導的特性。(Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014),Scientific Reports 4, 0640 (2014))


  3. 利用高分辨角分辨光電子能譜實驗手段,系統研究了單層FeSe/SrTiO3薄膜的電子結構,并建立了詳細的超導相圖。(Nat. Commun. 3, 931 (2012), Nat. Mater. 12, 606 (2013), Nat. Commun. 5, 5047 (2014), Proc. Natl. Acad. Sci. USA 105, 14262 (2014))


  4. 利用結合掃描隧道顯微鏡、電學輸運測量以及場效應技術,研究了真空退火對單層FeSe/SrTiO3薄膜超導性質的影響。由此,證明了電子摻雜有利于增強FeSe/SrTiO3體系的界面超導。(Phys. Rev. B 89, 060506(R) (2014))


  5. FeSe薄膜表面電子摻雜效應的。測量了不同層厚(1-20UC) FeSe薄膜表面沉積堿金屬原子(K)后,其電子結構的變化情況,得到了超導隨電子濃度摻雜效應的電子相圖。并比較了不同襯底上(SrTiO3和Grapene/SiC)FeSe薄膜的超導電性對電子摻雜的響應。實驗數據證明了電子摻雜有利于增強FeSe的超導,并排除了應力作用。厚層FeSe薄膜最佳超導能隙 ~ 9 meV,對比單層FeSe/SrTiO3上高達15 meV的超導能隙,表明其余的貢獻來自于界面效應,如電聲耦合增強等。(Nano Lett. 16, 1969 (2016))

2017-2018學年第一學期課程:大學物理

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